| Инд. авторы: | Gadiyak G.V. |
| Заглавие: | Physical Model and Numerical Results of Dissociation Kinetics of Hydrogen-Passivated Si/SiO2 Interface Defects |
| Библ. ссылка: | Gadiyak G.V. Physical Model and Numerical Results of Dissociation Kinetics of Hydrogen-Passivated Si/SiO2 Interface Defects // MRS. - 1998. - Vol.483. - P.503-510. |
| Издано: | 1998 |
| Физ. характеристика: | с.503-510 |